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  PolyDiode 的組成結構與電氣特性

產品編號: PolyDiode 的組成結構與電氣特性
產品名稱: PolyDiode 的組成結構與電氣特性
產品品牌:
PDF下載: PolyDiode.pdf
規格特性:
  PolyDiode於抑制系統電路內，湧入之瞬間突波於一預求的安全波動位準，並使感應電流轉移接地；令電路敏感元件(如ICs等)免受ESD攻擊的效果，明顯超越MLV與TVS Diode。
此外， PolyDiode的障壁區域(Depletion region)含有鋇、鈦等具低通濾波器(Low pass filter)功能之無機元素，可以控制多餘電磁波(Electromagnetic Waves)和帶磁率(Electromagnetie Susceptibility)，有效截止雜音脈衝(Clipped noise pulses)，並減少基頻以外之諧波頻率干擾
 
　　 內容：
  PolyDiode的主要生成結構，係融合Silicon TVS diode、Multilayer Varistor (MLV)等關鍵材料經微粒化奈米創新工序，燒結而成之高緻密性陶瓷實體。
雖然Poly Diode的外觀形狀、IV特性曲線、等值電路頗多類似MLV之處，惟PolyDiode本體內部微晶界面數以萬計之P-N Junctions相互接觸的部分，皆為矽薄膜所保護，故對空氣和熱都非常穩定，且表面耦合電流也會減少。以其固有之Surge Current Capability、Extra low Clamping Voltage、ESD durability、Fast response time等傑出電氣特性(參閱比較表一)，對於抑制系統電路內，湧入之瞬間突波於一預求的安全波動位準，並使感應電流轉移接地；令電路敏感元件(如ICs等)免受ESD攻擊的效果，明顯超越MLV與TVS Diode。
此外， PolyDiode的障壁區域(Depletion region)含有鋇、鈦等具低通濾波器(Low pass filter)功能之無機元素，可以控制多餘電磁波(Electromagnetic Waves)和帶磁率(Electromagnetie Susceptibility)，有效截止雜音脈衝(Clipped noise pulses)，並減少基頻以外之諧波頻率干擾，使通過系統設備之特定交流訊號，進一步獲致調諧。

 

 

  

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